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单晶硅压力变送器

简要描述:单晶硅压力变送器具有0.075%超高测量精度,100:1宽量程比,稳定性高、响应速度快、可靠性高,自带HART通讯功能方便手操器调试,具有本质安全型、隔爆型、选配多种隔离膜片结构,多种过程连接标准,

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  • 更新时间:2024-07-24
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单晶硅压力变送器具有0.075%超高测量精度,100:1宽量程比,稳定性高、响应速度快、可靠性高,自带HART通讯功能方便手操器调试,具有本质安全型、隔爆型、选配多种隔离膜片结构,多种过程连接标准,适用微压、绝压、负压、高温高压、低温和腐蚀条件的压力测量。

一、单晶硅压力变送器工作原理

利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻,并将电阻接成桥路,单晶硅片置于传感器腔内。当压力发生变化时,单晶硅产生应变,使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化,再由桥式电路获得相应的电压输出信号。

二、单晶硅压力变送器技术参数

测量范围
相对压力:0~400Pa~35MPa

J.D压力:0~1.75KPa~35MPa
信号输出
4-20mA +HART通讯协议(两线制)

测量精度
综合误差:0.1%(包括线性度、重复性、迟滞),特殊要求可定0.075%

长期稳定性
每年优于0.15%F.S
五年优于0.2%F.S
温度范围

允许介质温度:(-40~120)℃

允许环境温度:(-40~85)℃

允许储存温度:(-40~85)℃

温度影响
相对于25℃:≤±0.4%标准量程

阻尼时间
0~40S连续可调

抗震动:2g 1000HZ ±0.05%g

抗冲击:50g 11mesc

电磁兼容特性:符合IEC801标准

传感器允许过压:标准量程3倍压力

零点z.ui小报警电流范围:3.8mA

满度z.ui大报警电流范围:21mA

启动时间:3S 无需预热

与介质接触部分材料

过程连接件:不锈钢316, 哈氏合金C

传感器膜片:不锈钢316, 哈氏合金C

与介质非接触部分材料

外壳:压铸铝带环氧树脂涂层

传感器充灌液:硅油 厌氧油

现场显示:液晶3 1/2精度数字式显示器 液晶模拟条状显示器

防护等级:IP66

重量:约1Kg

防爆等级防爆型 Ex d ⅡC T5 ,本安型 Ex ia ⅡC T5

允许环境湿度:99%RH


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